Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Количество чипов на модуле:-
Габариты (мм):-
Расширенная операционная температура (Tcase):-
rusName:[Модуль памяти] Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Потребление энергии:-
Линейка:-
сайт производителя:http://www.samsung.com/
Вес (грамм):-
Количество модулей в комплекте (шт):1
Пропускная способность (МБ/с):44800
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
e7cc9d7343fdc8551c6c725349859e87
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
Расширенная операционная температура (Tcase)
rusName
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия
CAS Latency (CL)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
Низкопрофильная
Радиатор
Подсветка
Производитель
Количество контактов
Дополнительная информация
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
Модель
Напряжение (В)
название
RAS to CAS Delay (tRCD)
Тип оборудования
gtdNumber
Тайминги
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Чип
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)